产品详情
技术优势
传感芯片采用高精度硅技术，精度 ±0.05%
双抗过载保护膜片设计，单向过压至高可达40MPa
优异的高静压性能，静压误差可控制在±0.05%/10MPa以内
量程比100:1
EMC符合GB/T 18268.1-2008
技术参数
测量范围（未迁移） 400Pa 2000kPa
量程比 10：1 100：1
环境温度 -40℃ +85℃
温度影响量
-20℃～65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span
±0.04%×Span(TD=1)/10℃
-40℃～-20℃ & 65℃～85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span
准确度等级 ±0.075% / ±0.05% / ±0.1%
长期漂移 ±0.1%×Span/ 5年
组态属性 线性/ 平方根/ 自由编程
总线标准 4～20mA/HART
