产品详情
·技术优势
·传感芯片采用高精度硅技术,精度 ±0.05%
·双抗过载保护膜片设计
·先进的微量程压力变送器抗过载性能
·稳定可靠,温度影响小,温度性能控制在±0.04%/10K
·量程比100:1
·EMC符合GB/T 18268.1-2008
·技术参数
参数 | ||
测量范围(未迁移) | 200 Pa | 40000 kPa |
量程比 | 10:1 | 100:1 |
环境温度 | -40 ℃ | +85 ℃ |
介质温度 | -40 ℃ | +125℃ |
温度影响量 | 可达±0.04%/10K (TD=1时) | |
准确度等级 | ±0.05% / ±0.1% | |
长期漂移 | ±0.1%×Span/5年 | |
重量 | 1.6 kg | |
总线标准 | 4~20mA HART |
·至大过载压力
满量程 | 6kPa | 40kPa | 250kPa | 3MPa | 10MPa | 21MPa | 40MPa | 60MPa |
至大过载压力 | 0.3MPa/7MPa | 1MPa/7MPa | 4MPa | 15MPa | 20MPa | 60MPa | 60MPa | 70MPa |